Новинки в семействе MOSFET

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) сообщила о выпуске первого прибора нового семейства MOSFET. Усовершенствованный технологический процесс изготовления p-канальных транзисторов AONR21357 обеспечил снижение потерь мощности и повышение надежности запуска. Предельно допустимые для устройства напряжения сток-исток и затвор-исток составляют –30 В и –25 В, соответственно. Транзистор выпускается в корпусе DFN размером 3 × 3 мм со сниженным тепловым сопротивлением и при напряжении затвор-исток, равном –4.5 В, имеет сопротивление открытого не более 12.3 мОм. Новый p-канальный MOSFET идеально подойдет для приложений коммутации нагрузки в адаптерах ноутбуков и аналогичных устройствах.

de Olga (ur2680yl)