Новости

13:37

128 Гб модули оперативной памяти DDR4

Компания Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии модулей памяти DDR4 ёмкостью 128 Гб с использованием технологии сквозного вертикального соединения кристаллов кремния (TSV), предназначенных для корпоративных серверов и дата-центров.

Вслед за представлением первого в мире модуля памяти DDR4 (64 Гб) с использованием технологии трехмерного (3D) сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV) в 2014 году, компания презентовала новые модули регистровой памяти с двухрядным расположением выводов (RDIMM) на основе технологии TSV. Новые модули памяти DDR4 с использованием технологии TSV от Samsung предлагают наибольшую ёмкость и наивысшую энергоэффективность в сравнении с любыми модулями DRAM, доступными на рынке сегодня.

Samsung реагирует на рост спроса на модули DRAM ультра-высокой ёмкости путём увеличения темпов внедрения технологии TSV и производства 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти, выполненных по 20-нанометровому техпроцессу. Линейки новых высокопроизводительных модулей DRAM TSV, в том числе и модуль LRDIMMs на 128 ГБ, будут доступны в течение ближайших нескольких недель, что подтверждает лидирующие позиции и расширение рынка премиальных решений от компании Samsung.

128 Гб серверные модули оперативной памяти DDR4

 

Бесплатный конструктор сайтов - uCoz